【jinnianhui.com科技】正如石油是現(xiàn)代工業(yè)體系的血液，存儲(chǔ)芯片已成為數(shù)字時(shí)代科技生態(tài)不可或缺的基石。然而，2025年下半年以來，全球存儲(chǔ)芯片市場掀起了一場“史詩級”漲價(jià)潮。自9月起，DRAM與NAND Flash的現(xiàn)貨價(jià)格累計(jì)漲幅已超過300%。此輪暴漲主要由人工智能領(lǐng)域“以存代算”技術(shù)路線的興起所驅(qū)動(dòng)——大量的大模型訓(xùn)練對高帶寬、大容量存儲(chǔ)芯片提出了空前需求，導(dǎo)致行業(yè)產(chǎn)能緊張、供需失衡。
受此影響，多家手機(jī)廠商高管已公開預(yù)警：自2025年底起，搭載大容量存儲(chǔ)的新品將普遍提價(jià)，這一趨勢預(yù)計(jì)將延續(xù)至2026年甚至更遠(yuǎn)。聯(lián)想、戴爾等全球前五大PC廠商均已確認(rèn)將上調(diào)產(chǎn)品售價(jià)，漲價(jià)幅度普遍在10%至30%之間。消費(fèi)電子行業(yè)或?qū)⒂瓉硇乱惠唭r(jià)格調(diào)整周期。
然而，塞翁失馬，焉知非福。在挑戰(zhàn)之中亦蘊(yùn)藏機(jī)遇——存儲(chǔ)芯片價(jià)格的飆升，也在為長江存儲(chǔ)等國產(chǎn)廠商創(chuàng)造寶貴的市場窗口。
jinnianhui.com特此推出“'芯'價(jià)狂飆”深度專題，而本篇文章，將聚焦于“國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的機(jī)遇”。
近年來，在多重因素推動(dòng)下，中國高科技產(chǎn)業(yè)加速推進(jìn)自主可控進(jìn)程，半導(dǎo)體領(lǐng)域尤甚。作為人類科技高度凝結(jié)的產(chǎn)物，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)芯片是其最大分支之一。當(dāng)前，全球存儲(chǔ)芯片市場面臨供應(yīng)短缺，疊加需求回暖，為國產(chǎn)企業(yè)提供了難得的發(fā)展契機(jī)。
市場格局：巨頭主導(dǎo)，國產(chǎn)初露鋒芒
存儲(chǔ)芯片作為用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的核心電子元件，主要分為易失性存儲(chǔ)（如DRAM、SRAM）和非易失性存儲(chǔ)（如NAND Flash、NOR Flash）兩大類。這類芯片通常通過ASIC或FPGA技術(shù)集成存儲(chǔ)控制器與協(xié)議管理功能，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、云計(jì)算、智能終端以及AI服務(wù)器等關(guān)鍵領(lǐng)域。
從市場結(jié)構(gòu)看，2024年全球存儲(chǔ)芯片細(xì)分市場中，DRAM占比達(dá)58.26%；NAND Flash緊隨其后，占比為41.68%。
而在市場份額方面，全球DRAM市場高度集中，三星、SK海力士和美光三大海外廠商合計(jì)占據(jù)93%的份額，分別為36.5%、35%和21.5%；相比之下，國內(nèi)廠商長鑫存儲(chǔ)僅占約5%，只能算是初步形成一定競爭力。而在NAND Flash領(lǐng)域，三星同樣以33.5%的市占率位居第一，SK海力士以19%位列第二；好在，國產(chǎn)代表企業(yè)長江存儲(chǔ)近年來持續(xù)取得突破，市場份額達(dá)到5%。
整體來看，在這次存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮到來之前，盡管國際巨頭仍牢牢掌控市場主導(dǎo)權(quán)，但中國存儲(chǔ)芯片企業(yè)已開始在全球舞臺(tái)上嶄露頭角。
國產(chǎn)雙雄：九年躋身全球一流
從當(dāng)前市場格局可見，在DRAM與NAND Flash兩大核心存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，中國均已涌現(xiàn)出具有全球競爭力的本土企業(yè)。長江存儲(chǔ)與長鑫存儲(chǔ)雖成立時(shí)間不長，但發(fā)展速度驚人。
長江存儲(chǔ)成立于2016年7月，總部位于武漢，是中國唯一一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)、制造一體化的IDM企業(yè)；而長鑫存儲(chǔ)則于2017年11月在安徽合肥成立，是中國大陸目前唯一實(shí)現(xiàn)DRAM芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)。盡管起步較晚，但兩家公司已迅速構(gòu)建起扎實(shí)的技術(shù)儲(chǔ)備。
在技術(shù)層面，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片正快速縮小與國際巨頭的差距。長江存儲(chǔ)已量產(chǎn)的232層TLC NAND芯片采用創(chuàng)新的雙層堆疊架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)等效294層密度，接口速率高達(dá)3600MT/s，良率穩(wěn)定在95.2%，并已向全球客戶批量出貨。其下一代300層堆疊技術(shù)也已處于研發(fā)階段。2025年11月，長鑫存儲(chǔ)發(fā)布了多款高端DRAM產(chǎn)品，包括速率達(dá)8000Mbps的DDR5和10667Mbps的LPDDR5X，以及完整的內(nèi)存模組系列，關(guān)鍵性能指標(biāo)已全面對標(biāo)三星、美光等國際一線廠商。
產(chǎn)能擴(kuò)張方面，兩家企業(yè)的步伐同樣迅猛。長江存儲(chǔ)當(dāng)前月產(chǎn)能已接近13萬片晶圓，約占全球NAND總產(chǎn)能的8%，并力爭到2026年底占據(jù)全球15%的市場份額。長鑫存儲(chǔ)則預(yù)計(jì)在2025年底將DRAM月產(chǎn)能提升至30萬片，增長近50%。據(jù)Counterpoint預(yù)測，其今年DDR5市場份額將躍升至7%，LPDDR5份額也將從一季度的0.5%增至年底的9%。盡管與三星約70萬片/月的DRAM產(chǎn)能仍有較大差距，但現(xiàn)有產(chǎn)能已足以支撐國內(nèi)中低端PC、智能手機(jī)及工業(yè)控制等關(guān)鍵應(yīng)用市場。
有業(yè)內(nèi)人士透露，受益于長鑫存儲(chǔ)等企業(yè)的快速成長，中國在全球DRAM市場的整體份額有望在2025年實(shí)現(xiàn)同比翻倍，達(dá)到10%，標(biāo)志著國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片正從可用邁向主流。
現(xiàn)實(shí)困境：良率與設(shè)備仍是“卡脖子”關(guān)卡
盡管國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)正迎來難得的市場窗口期，但其發(fā)展仍受制于關(guān)鍵設(shè)備與材料的“卡脖子”難題。
目前，關(guān)鍵的EUV設(shè)備因美國出口管制無法進(jìn)入中國市場。與此同時(shí)，來自日本東京電子和美國泛林集團(tuán)的刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備也處于供應(yīng)緊張狀態(tài)，難以滿足國內(nèi)廠商快速擴(kuò)產(chǎn)的需求。在材料方面，JSR、信越化學(xué)的高端光刻膠以及德國默克的ALD前驅(qū)體等核心原材料，國產(chǎn)化率尚不足30%，且在純度、一致性和穩(wěn)定性上與國際先進(jìn)水平仍有明顯差距。
良率問題則是另一大瓶頸。當(dāng)前國產(chǎn)DDR5顆粒的平均良率約為65%，而三星等國際龍頭已穩(wěn)定在85%以上。這意味著在相同投片量下，國產(chǎn)廠商有近四成晶圓成本直接浪費(fèi)，成本劣勢顯著。更高端的HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)門檻更高，涉及3D堆疊、TSV硅通孔、高效散熱等復(fù)雜工藝，目前國內(nèi)尚無量產(chǎn)能力，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)計(jì)2027年前難以打破三星、SK海力士與美光三巨頭的壟斷格局。
據(jù)媒體報(bào)道，芯謀研究首席分析師顧文軍曾指出，若國產(chǎn)廠商不能在本輪漲價(jià)周期內(nèi)將良率提升至80%以上，并將臨時(shí)客戶轉(zhuǎn)化為長期訂單，一旦海外巨頭完成新一輪擴(kuò)產(chǎn)，過剩產(chǎn)能回流消費(fèi)市場，國產(chǎn)企業(yè)恐將再度被擠壓回低端領(lǐng)域。
行業(yè)普遍認(rèn)為，2025–2027年是國產(chǎn)存儲(chǔ)的“三年戰(zhàn)略窗口”。若能趁此周期完成三大任務(wù)——良率突破80%、客戶訂單長期化、供應(yīng)鏈自主化，則有望在2027年后沖擊全球前三。
寫在最后
海外存儲(chǔ)巨頭的“芯慌”，本質(zhì)是技術(shù)路線切換與產(chǎn)能錯(cuò)配的暫時(shí)性失衡。而國產(chǎn)企業(yè)的真正考驗(yàn)，不在于能否在漲價(jià)潮中分一杯羹，而在于能否將短期價(jià)差優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為長期技術(shù)+生態(tài)壁壘。
歷史經(jīng)驗(yàn)表明，半導(dǎo)體行業(yè)的競爭，從來不是一場百米沖刺，而是一場跨越十年的馬拉松。長江存儲(chǔ)與長鑫存儲(chǔ)已經(jīng)跑出了第一步，但要真正站上全球舞臺(tái)中央，還需在良率、設(shè)備、人才、生態(tài)上持續(xù)深耕。
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